Datasheet下载- 型号： SI4134DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4134DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4134DY-T1-E3价格参考￥1.77-￥5.52。VishaySI4134DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4134DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4134DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SI4134DY-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该MOSFET可用于开关电源中的功率开关，适用于降压或升压电路，提供高效的电压转换。 - 负载开关：在便携式设备中，用于控制特定电路的供电状态，降低功耗。 - 电池保护：用于锂电池管理系统中，防止过充、过放或短路。 2. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：作为负载开关或电源管理IC的一部分，实现低功耗和高效能。 - 笔记本电脑：用于电源适配器或内部电源管理模块。 - 音频设备：用于音频放大器的电源切换或保护电路。 3. 工业应用 - 电机驱动：用于小型直流电机的启动、停止和速度控制。 - 信号切换：在工业自动化系统中，用作高速信号切换器件。 - 保护电路：用于过流保护、反向电流保护等场景。 4. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于电源管理和信号切换。 - 车身控制模块：如车窗升降、座椅调节等需要低功耗和高可靠性的场景。 - LED照明：用于汽车LED灯的驱动和调光控制。 5. 通信设备 - 路由器和交换机：用于电源管理和信号切换。 - 基站设备：在低功耗要求的场景下，作为功率开关使用。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：有助于减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 小封装尺寸（如DFN封装）：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 - 高可靠性：满足多种严苛环境下的应用需求。 总之，SI4134DY-T1-E3凭借其优异的性能和小巧的封装，广泛应用于各类需要高效功率管理、信号切换和保护功能的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOICMOSFET 30V 14A 5.0W 14mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4134DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4134DY-T1-E3SI4134DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns, 9 ns |
| 下降时间 | 10 ns, 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 846pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns, 14 ns |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4134DY-E3 |
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