Datasheet下载- 型号： PHT6NQ10T,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHT6NQ10T,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT6NQ10T,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT6NQ10T,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHT6NQ10T,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHT6NQ10T,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHT6NQ10T,135 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管，具体分类为 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且属于单通道设计。以下是该型号的应用场景分析：
1. 电源管理
- PHT6NQ10T,135 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，通常用于低电压、高效率的电源管理系统中。例如：
- 开关电源（SMPS）：用作开关元件，控制电路中的电流流动。
- DC-DC 转换器：实现电压转换，提供稳定的输出电压。
- 线性稳压器：通过调节导通电阻来稳定输出电压。
2. 电机驱动
- 在小型电机驱动应用中，这款 MOSFET 可以作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。
- 应用于家用电器（如风扇、水泵等）或工业设备中的直流电机控制。
3. 负载开关
- 作为负载开关，PHT6NQ10T,135 可以快速、高效地接通或断开负载电路，适用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源分配。
4. 电池保护
- 在电池管理系统（BMS）中，该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及防止电池过度放电。
- 常见于锂电池组、移动电源等产品中。
5. 信号切换
- 在通信设备或音频设备中，可以利用其低导通电阻特性进行信号切换，确保信号传输的高效性和稳定性。
6. 汽车电子
- 虽然具体参数需进一步确认，但该型号可能适用于汽车电子中的低功耗应用场景，例如车内照明、传感器控制或辅助系统。
参数特点支持的应用优势：
- 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。
- 快速开关能力：适合高频开关应用。
- 紧凑封装：节省空间，适合小型化设计。
总结来说，PHT6NQ10T,135 主要应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域，特别适合需要高效能、低功耗和小型化设计的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 3A SOT223MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHT6NQ10T,135TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHT6NQ10T,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1800 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 57 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 57 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 633pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6791-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | /T3 PHT6NQ10T |
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