Datasheet下载- 型号： PHT6NQ10T,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHT6NQ10T,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT6NQ10T,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT6NQ10T,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHT6NQ10T,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHT6NQ10T,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHT6NQ10T,135 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅0.18 Ω @ Vgs=10 V，0.24 Ω @ Vgs=4.5 V）、高耐压（100 V）、连续漏极电流达6 A（Tc=25°C），并具备AEC-Q101汽车级可靠性认证。 其主要应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载LED照明驱动、车窗/座椅电机控制、雨刷/风扇等12V/24V直流负载的开关与PWM调光/调速； ✅ 工业控制：PLC输出模块、继电器替代、DC-DC转换器次级侧同步整流、电源管理中的负载开关； ✅ 消费类电源：适配器、充电器、USB PD多口快充中的次级侧开关或电池保护电路； ✅ 通用开关应用：因支持逻辑电平驱动（4.5 V即可充分导通），可直接由MCU GPIO（如3.3 V/5 V）控制，适用于空间受限、需低功耗驱动的嵌入式系统。 该器件具备良好的热性能（RθJC ≈ 40 K/W）和雪崩耐量，适合中功率、中频（<100 kHz）开关场景，不推荐用于高频硬开关DC-DC主功率管。其SOT-223封装兼顾散热性与贴片兼容性，广泛用于对成本、可靠性和设计简洁性有要求的中小功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 3A SOT223MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHT6NQ10T,135TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHT6NQ10T,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1800 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 57 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 57 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 633pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6791-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | /T3 PHT6NQ10T |
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