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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB7N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB7N20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB7N20TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB7N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB7N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB7N20TM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源适配器,作为开关元件提高转换效率。 2. DC-DC转换器:在车载电源系统、工业电源中用于电压转换,支持高效能、小体积设计。 3. 电机驱动:用于电动工具、风扇、泵等小型电机的控制电路中,实现快速开关和低损耗运行。 4. 照明系统:如LED驱动电源中,用于调节电流和实现高效率的恒流输出。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源和太阳能逆变器中作为功率开关,支持高频率工作和低导通损耗。 该器件具有7A电流容量和200V耐压,适合中高功率应用场景,封装为TO-252(DPAK),便于散热和安装。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB7N20TM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 690 毫欧 @ 3.3A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A (Tc) |