Datasheet下载- 型号： RHU002N06T106
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RHU002N06T106由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RHU002N06T106价格参考。ROHM SemiconductorRHU002N06T106封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RHU002N06T106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RHU002N06T106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RHU002N06T106 是罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） RHU002N06T106 适用于各种开关电源设计，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。由于其低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，能够有效降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、转向和速度调节。其耐压能力（60V）和电流承载能力使其适合低电压电机应用。 3. 负载开关 在便携式电子设备中，RHU002N06T106 可用作负载开关，实现对不同功能模块的供电管理，从而优化功耗并延长电池寿命。 4. 逆变器电路 该器件适用于小型逆变器电路，例如太阳能微逆变器或应急照明逆变器。其高效性能有助于将直流电转换为交流电，同时保持较低的能量损失。 5. 电池管理系统（BMS） 在锂电池或其他可充电电池的保护电路中，RHU002N06T106 可充当充放电路径的开关，确保过流、过压或短路保护功能的正常运行。 6. LED 驱动 对于高亮度 LED 的驱动电路，该 MOSFET 可以精确控制电流，提供稳定的亮度输出，并支持 PWM 调光功能。 7. 汽车电子 在车载电子系统中，如车窗升降器、座椅调节器等低功率应用中，RHU002N06T106 提供可靠的开关和保护功能。 总结来说，RHU002N06T106 凭借其优异的电气特性（如低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性），广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备以及汽车电子领域中的各种功率控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RHU002N06T106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RHU002N06T106 |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 欧姆 @ 200mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | RHU002N06T106DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 4 ns |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | UMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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