Datasheet下载- 型号： PMPB20EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB20EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB20EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB20EN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMPB20EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB20EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB20EN,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用小型 TSOP-6 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 48 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或反向电流阻断（如 USB OTG 供电路径控制）； • DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管，提升转换效率（尤其适用于 3–5 V 输入、小功率输出场景）； • LED 驱动与背光控制：用于中小尺寸 LCD/OLED 显示屏的背光调光或 LED 矩阵开关； • 电机驱动与负载切换：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的 H 桥低端驱动或简单单向启停控制； • 工业与物联网节点：在空间受限的传感器模块、无线模组（如 NB-IoT、BLE）中实现低功耗待机控制、电源域隔离或唤醒信号切换。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) ≈ −1.0 to −2.5 V），兼容 3.3 V/5 V MCU GPIO 直接控制，且具备 ESD 保护（HBM 2 kV），适合高可靠性、紧凑型设计。注意其最大 VDS 为 −20 V，不适用于高压或大电流主功率场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMPB20EN,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 435pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19.5 毫欧 @ 7A， 10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10455-6 |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.2A （Ta） |
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