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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMXB40UNEZ由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMXB40UNEZ价格参考。NXP SemiconductorsPMXB40UNEZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMXB40UNEZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMXB40UNEZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMXB40UNEZ 是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于电源管理和负载开关等应用场景。 该器件主要适用于以下领域: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的电源开关和电压调节,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品。 2. 负载开关:可用于控制高边或低边负载的通断,例如驱动继电器、LED灯串或小型电机。 3. DC-DC转换器:在同步整流器中作为低导通电阻的开关器件,提高转换效率。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 PMXB40UNEZ采用小型无铅封装(如TSOP),适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和能效表现,适用于中低功率应用。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。 总结而言,该MOSFET适用于对效率、尺寸和可靠性有要求的中低功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMXB40UNEZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 556pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 3.2A, 4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN (1.1x1) |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A (Ta) |