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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN6066SSS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN6066SSS-13价格参考。Diodes Inc.DMN6066SSS-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN6066SSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN6066SSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN6066SSS-13是一款P沟道增强型MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于多种电源管理和开关应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关和负载开关,实现高效能电能转换与分配。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子产品,用于电池充放电管理及电源切换。 3. 电机控制:在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件,实现转速或启停控制。 4. 工业自动化:用于PLC、传感器和执行器的电源控制,提供可靠的开关性能。 5. 消费类电子产品:如智能手机、充电器和LED照明驱动电路中,用于功率调节和开关控制。 6. 汽车电子:在车载电源系统、LED车灯控制和辅助电机控制中使用。 该MOSFET采用小型封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于对空间和效率有要求的设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SOMOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN6066SSS-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN6066SSS-13 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.56 W |
Pd-功率耗散 | 1.56 W |
Qg-GateCharge | 5.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 502pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 66 毫欧 @ 4.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMN6066SSS-13DKR |
功率-最大值 | 1.56W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 19.2 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.7A (Ta) |
系列 | DMN6066 |
配置 | Dual |