Datasheet下载- 型号： FQPF5N80
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF5N80由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF5N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF5N80封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF5N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF5N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF5N80是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于高压MOSFET器件，具有800V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力。该器件广泛应用于需要高电压、中等电流开关控制的电力电子场景。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS），如AC-DC电源适配器、电脑电源、电视及显示器电源模块；LED照明驱动电源，尤其适用于高亮度LED路灯或工业照明中的升压/降压拓扑结构；电机驱动电路，用于家用电器或小型工业设备中的直流电机控制；逆变器系统，如太阳能逆变器或UPS不间断电源中的功率转换级；以及各类高压DC-DC转换器。 FQPF5N80具备低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性，适合在高温环境下稳定工作。其TO-220封装便于安装散热片，提升散热性能，确保长时间可靠运行。此外，该MOSFET还具备较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高整体系统能效。 综上，FQPF5N80主要适用于中高功率、高电压的开关类电源与功率控制应用，是工业电源、消费电子电源和绿色能源系统中的关键元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF5N80 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 47W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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