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  • 型号: TK58E06N1,S1X
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK58E06N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK58E06N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK58E06N1,S1X封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK58E06N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK58E06N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage的型号为TK58E06N1,S1X的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,且为单通道设计。以下是该型号的应用场景分析:

 1. 开关电源应用
   - TK58E06N1,S1X具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种开关电源电路,如AC-DC或DC-DC转换器。其耐压能力(通常为几十伏到上百伏)使其适合用于低压至中压范围的电源管理。
   - 典型应用场景包括:适配器、充电器、LED驱动电源等。

 2. 电机驱动
   - 该型号的MOSFET可以用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过控制栅极电压,实现对电机的启动、停止、调速等功能。
   - 应用实例:家用电器(如风扇、水泵)、玩具电机驱动、自动化设备中的小型电机控制。

 3. 负载开关
   - 在需要动态控制负载通断的场景中,该MOSFET可用作高效的电子开关。相比传统机械开关,它具有更快的响应速度和更长的使用寿命。
   - 例如:手机充电保护电路、汽车电子中的负载切换、工业设备中的信号隔离与传输。

 4. 电池管理系统 (BMS)
   - MOSFET在电池管理系统中起到关键作用,可用于电池充放电路径的控制,以及过流、短路保护等功能。
   - 具体应用:电动车电池组管理、便携式电子设备电池保护电路。

 5. 逆变器和太阳能系统
   - 在小型逆变器或微型太阳能发电系统中,该MOSFET可作为功率开关元件,参与能量转换过程。
   - 示例:太阳能路灯控制器、家庭小型光伏系统中的功率调节单元。

 6. 信号放大与处理
   - 虽然主要功能是开关,但也可以在某些低频信号放大电路中使用,尤其是在需要高输入阻抗的场合。

 总结
TK58E06N1,S1X凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。选择具体应用场景时,需根据其额定电压、电流、导通电阻等参数进行匹配设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 60V 58A TO-220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK58E06N1

产品图片

产品型号

TK58E06N1,S1X

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 500µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3400pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.4 毫欧 @ 29A,10V

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

TK58E06N1S1X

功率-最大值

110W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/toshiba-silicon-n-channel-mosfet/2550http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

58A (Ta)

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