Datasheet下载- 型号： SIHB22N60E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB22N60E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB22N60E-GE3价格参考。VishaySIHB22N60E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHB22N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHB22N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHB22N60E-GE3 是一款 N 沱增强型功率 MOSFET，其应用场景主要包括以下方面： 1. 开关电源（SMPS）： 该 MOSFET 适用于开关电源中的高频开关应用。其 600V 的耐压能力使其适合高压环境，如离线式 AC-DC 转换器、适配器和充电器。 2. 电机驱动： 在电机控制电路中，SIHB22N60E-GE3 可用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机或小型交流电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 逆变器： 该器件可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，作为功率开关元件，实现高效的 DC-AC 转换。 4. PFC（功率因数校正）电路： 在功率因数校正电路中，SIHB22N60E-GE3 可用作主开关管，帮助提升系统的功率因数并减少谐波失真。 5. 电磁阀和继电器驱动： 其高电压耐受能力和大电流承载能力使其适合驱动电磁阀和继电器，广泛应用于工业自动化和家电领域。 6. 负载开关和保护电路： 在需要快速开关和过流保护的场合，如汽车电子、工业设备或消费类电子产品中，该 MOSFET 可提供稳定的负载切换功能。 7. 电动工具： 由于其耐用性和高效性能，SIHB22N60E-GE3 常用于电动工具的电池管理系统和电机驱动电路中。 8. LED 驱动器： 在高功率 LED 照明应用中，这款 MOSFET 可用于恒流驱动电路，确保 LED 的稳定工作。 总体而言，SIHB22N60E-GE3 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，适用于多种需要高效功率转换和开关操作的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAKMOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHB22N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHB22N60E-GE3SIHB22N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 227 W |
| Pd-功率耗散 | 227 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1920pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | SIHB22N60EGE3 |
| 功率-最大值 | 227W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 21 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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