Datasheet下载- 型号： IRFR12N25DTRRP
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR12N25DTRRP由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR12N25DTRRP价格参考。International RectifierIRFR12N25DTRRP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR12N25DTRRP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR12N25DTRRP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFR12N25DTRRP的晶体管属于FET（场效应晶体管）中的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，是一款单N沟道MOSFET。该器件具有较高的耐压和电流能力，适用于多种功率电子应用。 IRFR12N25DTRRP的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电源适配器中，作为高效的开关元件，提高能量转换效率。 2. 电机控制：在直流电机驱动器和无刷电机控制系统中作为功率开关，实现电机速度和方向的控制。 3. 逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及工业变频器中，负责直流到交流的转换或频率调节。 4. 照明系统：应用于LED照明驱动电路，实现高效稳定的电流控制。 5. 汽车电子：如车载充电系统、电机控制模块等，因其具备良好的热稳定性和可靠性，适合在汽车环境中使用。 6. 工业自动化：在工业控制系统中用于负载开关、继电器替代和高频开关应用。 该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和紧凑的尺寸，适合高密度PCB布局。其250V的漏源击穿电压和12A的连续漏极电流能力，使其在中高功率应用中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR12N25DTRRP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 260 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 144W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
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