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Datasheet下载- 型号： IXTA05N100
- 制造商： IXYS
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IXTA05N100产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA05N100由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA05N100价格参考。IXYSIXTA05N100封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 1000V 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-263（IXTA）。您可以下载IXTA05N100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA05N100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA05N100是一款单晶体管FET（MOSFET），其主要应用场景包括以下方面： 1. 开关电源（SMPS）： IXTA05N100具有高耐压能力（1000V）和低漏电流特性，适合用于开关电源中的高压开关元件。它可以在高频条件下实现高效的功率转换，适用于各种离线式开关电源、DC-DC转换器等。 2. 逆变器： 该器件可用于太阳能逆变器、电机驱动逆变器等应用中。其高电压承受能力和良好的动态性能使其能够适应复杂的逆变电路需求。 3. 电机控制： 在工业自动化和家电领域，IXTA05N100可以用于控制交流或直流电机的启动、停止和速度调节。它支持高压环境下的高效开关操作。 4. 电力电子设备： 适用于固态继电器、不间断电源（UPS）、电池充电器等电力电子设备中。其高耐压特性和稳定的性能表现能够在这些设备中提供可靠的保护和控制功能。 5. 脉宽调制（PWM）控制器： 由于其快速开关特性和较低的导通电阻，IXTA05N100非常适合用作PWM信号的功率输出级，广泛应用于灯光调光、风扇调速等领域。 6. 高压保护电路： 在需要处理高电压输入的应用场景中，例如电网监测设备或高压测试仪器，这款MOSFET可以用作保护开关或隔离元件。 总结来说，IXTA05N100凭借其出色的高压性能和可靠性，特别适合于需要高电压、高效率以及快速开关响应的各种电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 750 mA |
| Id-连续漏极电流 | 750 mA |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA05N100- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTA05N100 |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 7.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 欧姆 @ 375mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 0.55 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA （Tc） |
| 系列 | IXTA05N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
