Datasheet下载- 型号： IRF6785MTR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6785MTR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6785MTR1PBF价格参考。International RectifierIRF6785MTR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6785MTR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6785MTR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRF6785MTR1PBF 是一款由旗下国际整流器公司（International Rectifier）推出的高性能功率 MOSFET 晶体管。它属于单个 N 沟道 MOSFET，广泛用于需要高效能、高可靠性的电源转换系统中。 该器件主要应用于以下场景： 1. 电源管理系统：如服务器、电信设备和工业电源中的 DC-DC 转换器，因其低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，有助于提高能源利用率并减少发热。 2. 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机驱动器等，支持高频开关操作，提升响应速度与控制精度。 3. 负载开关与继电器替代：在智能电表、电池管理系统（BMS）中用作电子开关，实现快速、可靠的电路通断控制。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等应用中，用于将直流电转换为交流电，具备良好的热稳定性和过载承受能力。 5. 汽车电子：符合 AEC-Q101 标准，适用于车载充电器、电动助力转向系统等汽车电源相关模块。 总结而言，IRF6785MTR1PBF 凭借其优异的性能，在工业、通信、消费类及汽车电子等多个领域中扮演关键角色，尤其适合对效率、可靠性要求较高的功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFETMOSFET 200V N-CH 15A 100ohm for Digital Audio |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6785MTR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6785MTR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 57 W |
| Pd-功率耗散 | 57 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 8.6 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 其它名称 | IRF6785MTR1PBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 MZ |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Ta）， 19A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6785mpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6785mpbf.spi |
| 配置 | Dual |
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