Datasheet下载- 型号： IRF7401PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7401PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7401PBF价格参考。International RectifierIRF7401PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7401PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7401PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7401PBF是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRF7401PBF适用于开关电源中的功率开关器件，能够高效地控制电压和电流的转换。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，该MOSFET可以用作开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。 - 适用于家用电器、工业设备和自动化系统的电机驱动电路。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或其他类型的DC-AC逆变器中，作为功率级开关元件，将直流电转换为交流电。 - 高频开关能力和低损耗使其非常适合此类应用。 4. 负载开关 - 在需要快速切换负载的应用中，IRF7401PBF可以用来控制负载的开启和关闭。 - 常见于消费电子产品、汽车电子和工业设备中。 5. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中，该MOSFET可以用作充电/放电路径的开关，确保电池的安全运行。 - 支持过流保护、短路保护等功能。 6. 音频功放 - 在D类音频放大器中，IRF7401PBF可用作输出级开关器件，提供高效率的音频信号放大。 - 其高频特性和低失真性能满足高质量音频需求。 7. 汽车电子 - 适用于汽车中的灯光控制、座椅调节、电动车窗等系统，作为功率开关或负载驱动元件。 - 符合车规级要求，具备良好的可靠性和稳定性。 8. LED驱动 - 在大功率LED照明系统中，IRF7401PBF可用于恒流驱动电路，确保LED亮度稳定。 - 支持调光功能，适合商业和工业照明场景。 总结 IRF7401PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，适用于多种中低功率应用场景。它在开关电源、电机驱动、逆变器等领域表现出色，同时也能满足汽车电子和消费电子的需求。选择该型号时，需根据具体电路设计要求，考虑其最大电压（60V）、最大电流（47A）以及导通电阻（3.5mΩ典型值）等参数。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOICMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7401PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7401PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 32 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 72 ns |
| 下降时间 | 92 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 4.1A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.7A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7401.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7401.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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