Datasheet下载- 型号： NDD01N60-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD01N60-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD01N60-1G价格参考。ON SemiconductorNDD01N60-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDD01N60-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDD01N60-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NDD01N60-1G的ON Semiconductor产品属于N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能开关与功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器及电源适配器，具备低导通电阻和高效率特性，有助于提升能源利用率。 2. 电机控制：可用于直流电机、步进电机的驱动电路中，实现对电机速度和方向的精确控制，适用于工业自动化设备和电动工具。 3. 照明系统：在LED照明驱动电路中作为开关元件使用，支持调光功能，适用于高亮度LED灯及智能照明系统。 4. 消费电子产品：如笔记本电脑、平板电脑、充电器等便携设备中的电源开关和负载管理。 5. 工业控制系统：用于继电器替代、负载开关、电池管理系统等，提供可靠的高频率开关性能。 该MOSFET具备高耐压（600V）和良好的热稳定性，适合中高功率应用，且封装形式利于散热，适用于多种电路设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NDD01N60-1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 欧姆 @ 200mA， 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Tc） |
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