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  • 型号: PMPB43XPE,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB43XPE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB43XPE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB43XPE,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 5A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) DFN2020MD-6。您可以下载PMPB43XPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMPB43XPE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia 的 PMPB43XPE,115 是一款采用 LFPAK56(Power-SO8)封装的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on) 典型值 29 mΩ @ VGS = 4.5 V)、高开关效率及优良热性能。其主要应用场景包括:

- 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路及USB端口过流/反向阻断;
- DC-DC转换器与POL(点负载)模块:作为同步整流开关或高侧/低侧开关,适用于降压(Buck)转换器,提升能效(尤其在1–5 A中等电流场合);
- LED驱动与背光控制:用于中小功率LED恒流驱动的PWM调光开关或背光电源通断控制;
- 工业与消费类IoT终端:如传感器节点、电机驱动(小型直流有刷电机H桥中的单臂)、继电器替代(固态开关),得益于其逻辑电平驱动(可直接由3.3 V/5 V MCU GPIO驱动)和高可靠性;
- 汽车电子(非安全关键系统):符合AEC-Q101认证,适用于车载USB充电模块、车灯控制、HVAC风扇驱动等12 V系统中的中低压开关应用。

该器件具备ESD防护(HBM Class 3B)、无铅且符合RoHS,适合空间受限、需兼顾效率与成本的中低功率开关场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PMPB43XPE,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1550pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23.4nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

48 毫欧 @ 5A, 4.5V

供应商器件封装

6-DFN2020MD (2x2)

其它名称

568-10823-1

功率-最大值

1.7W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Ta)

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