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Datasheet下载- 型号： IXTT6N120
- 制造商： IXYS
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IXTT6N120产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT6N120由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT6N120价格参考。IXYSIXTT6N120封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 1200V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-268。您可以下载IXTT6N120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTT6N120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTT6N120是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的FET（场效应晶体管）类别。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性的特点，适用于多种功率电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，用于高效能电能转换与调节。 2. 电机驱动与控制：可用于工业自动化设备、电动工具、机器人等系统中，作为电机控制的功率开关元件。 3. 逆变器系统：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、变频器等设备中作为核心开关器件，实现直流到交流的能量转换。 4. 照明系统：用于高亮度LED驱动、电子镇流器等场合，提供高效稳定的电流控制。 5. 消费类电子产品：如高功率充电器、适配器等，因其高效率和小封装优势，适合空间受限的设计。 IXTT6N120具备1200V的漏源击穿电压和较强的电流承载能力，适合中高功率应用。同时，其TO-220封装便于散热，提升了在恶劣环境下的可靠性。因此，该器件广泛应用于工业控制、新能源、消费电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTT6N120- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTT6N120 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 56 nC |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 4.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 系列 | IXTT6N120 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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