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产品简介:
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STB25NM50N-1是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型高压MOSFET,属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有500V的高漏源击穿电压和25A的大电流承载能力,适用于需要高效开关和高耐压能力的电力电子应用。 其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于工业电源、服务器电源、通信电源等高效率开关电源中,作为主开关器件,实现电能的高效转换与稳定输出。 2. 电机驱动:适用于工业控制、家用电器(如空调、洗衣机)中的电机控制电路,提供快速响应和低导通损耗,提升系统能效。 3. 照明系统:可用于高强度气体放电灯(HID)、LED驱动电源等照明设备,支持高频开关操作,提高光源控制精度。 4. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等设备中,用于直流到交流的转换过程,具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 工业自动化设备:用于各类工业电源模块和控制单元中,满足严苛工作环境下的长期稳定运行需求。 STB25NM50N-1凭借其高耐压、低导通电阻(RDS(on))和优良的热性能,在高功率、高效率要求的应用中表现优异,是工业级功率转换系统的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB25NM50N-1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2565pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 11A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | 497-5729 |
功率-最大值 | 160W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |