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  • 型号: FDMS3006SDC
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMS3006SDC产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3006SDC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3006SDC价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3006SDC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 34A(Ta) 3.3W(Ta),89W(Tc) Dual Cool™56。您可以下载FDMS3006SDC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS3006SDC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDMS3006SDC 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能,适用于需要高效能和紧凑设计的电路。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关,提高电源转换效率。
2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,控制电机启停和方向。
3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板和便携式仪器,用于电源路径管理和负载切换。
4. 工业自动化:用于PLC、传感器模块和工业控制电路中的开关和功率调节。
5. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块和LED照明驱动。

其封装小巧(如PowerPAK® 1212-8),适合高密度PCB布局,广泛应用于中低功率开关场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFNMOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

34 A

Id-连续漏极电流

34 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3006SDCDual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™

数据手册

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产品型号

FDMS3006SDC

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

89 W

Pd-功率耗散

89 W

Qg-栅极电荷

61 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5725pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

80nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.9 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS3006SDCDKR

功率-最大值

3.3W

包装

Digi-Reel®

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power-56-10

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

34A (Ta)

系列

FDMS3006SDC

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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