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FDMS3006SDC产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3006SDC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3006SDC价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3006SDC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 34A(Ta) 3.3W(Ta),89W(Tc) Dual Cool™56。您可以下载FDMS3006SDC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS3006SDC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS3006SDC 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能,适用于需要高效能和紧凑设计的电路。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关,提高电源转换效率。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,控制电机启停和方向。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板和便携式仪器,用于电源路径管理和负载切换。 4. 工业自动化:用于PLC、传感器模块和工业控制电路中的开关和功率调节。 5. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块和LED照明驱动。 其封装小巧(如PowerPAK® 1212-8),适合高密度PCB布局,广泛应用于中低功率开关场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFNMOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 34 A |
Id-连续漏极电流 | 34 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3006SDCDual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDMS3006SDC |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 89 W |
Pd-功率耗散 | 89 W |
Qg-栅极电荷 | 61 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5725pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.9 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power56 |
其它名称 | FDMS3006SDCDKR |
功率-最大值 | 3.3W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 90 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | Power-56-10 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 34A (Ta) |
系列 | FDMS3006SDC |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |