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Datasheet下载- 型号： IXTY1R6N50D2
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IXTY1R6N50D2产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTY1R6N50D2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTY1R6N50D2价格参考。IXYSIXTY1R6N50D2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载IXTY1R6N50D2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTY1R6N50D2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTY1R6N50D2是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：该型号的MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC转换器等场景，能够高效地进行电压和电流的转换与调节。 2. 电机驱动：在电机控制领域，IXTY1R6N50D2可用于驱动小型至中型电机，例如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等，提供高效的开关性能和低导通损耗。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，这款MOSFET可以用于将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的高效能量转换。 4. 负载开关：由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，IXTY1R6N50D2适合用作负载开关，在各种电子设备中实现快速、低损耗的电路通断控制。 5. 保护电路：该器件可应用于过流保护、短路保护等电路中，确保系统在异常情况下能够安全运行并防止损坏。 6. 高频应用：得益于其快速开关速度，这款MOSFET适合高频应用场景，如高频振荡器、高频放大器等，能够减少开关损耗并提高效率。 7. 工业自动化：在工业控制系统中，IXTY1R6N50D2可用于各种开关和驱动任务，支持工业设备的高效运行。 总之，IXTY1R6N50D2凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电力电子、工业控制、消费电子等领域，满足多种高效率、低损耗的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAKMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTY1R6N50D2- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTY1R6N50D2 |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Qg-GateCharge | 23.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 41 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 645pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 欧姆 @ 800mA，0V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 350 mg |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.3 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 70 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 1.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Tc） |
| 系列 | IXTY1R6N50 |
