Datasheet下载- 型号： IXFH30N60P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH30N60P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH30N60P价格参考。IXYSIXFH30N60P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH30N60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH30N60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH30N60P是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源：该型号适用于DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）等应用，能够高效地进行电压转换和功率调节。 2. 电机驱动：可用于控制小型直流电机或步进电机的启动、停止和速度调节，适合家电、工业自动化设备中的电机驱动电路。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，作为功率开关元件使用，实现直流到交流的转换。 4. 电池管理系统（BMS）：用于保护锂电池组免受过充、过放、短路等问题的影响，通过快速切断电流来确保电池安全。 5. 负载切换：在需要频繁开启或关闭高电流负载的情况下，如汽车电子系统中的灯光控制、继电器替代等场合。 6. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中担任关键角色，负责能量存储与释放过程中的高效管理。 7. 音频功率放大器：用作输出级器件，在一些高性能音响设备中提供纯净的声音输出。 8. 电信设备：应用于基站、路由器等通信设施内的信号处理与功率分配环节。 IXFH30N60P凭借其600V耐压能力及低导通电阻特性，在上述领域展现出卓越的性能表现。同时，它还具备良好的热稳定性和可靠性，能够适应各种严苛的工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247MOSFET 600V 30A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH30N60PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH30N60P |
| Pd-PowerDissipation | 500 W |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 240 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 30 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | IXFH30N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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