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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3910TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3910TRPBF价格参考¥1.95-¥2.12。International RectifierIRFR3910TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR3910TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR3910TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌)的IRFR3910TRPBF是一款N沟道MOSFET,属于功率场效应晶体管,适用于中高功率开关应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压(VDS可达60V)和优良的热稳定性,适合在紧凑空间内实现高效能转换。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,作为同步整流或主开关元件,提升转换效率,降低功耗。 2. 电机驱动:适用于小型直流电机、步进电机及伺服系统的驱动电路,尤其在需要快速开关响应和低损耗控制的场合表现优异。 3. 电池供电设备:如便携式医疗设备、电动工具和UPS(不间断电源),利用其低导通损耗延长电池续航时间。 4. 消费电子与工业控制:应用于LED驱动电源、充电器、逆变器以及各类负载开关电路,具备良好的可靠性和耐用性。 5. 汽车电子辅助系统:虽非车规级主控器件,但可用于部分车载低压辅助电源模块或车身控制单元中的低边开关。 IRFR3910TRPBF采用TO-252(D-Pak)封装,便于散热和PCB安装,适合自动化生产。其坚固的设计和稳定的性能使其在工业、消费类及轻型电力电子设备中广泛应用。使用时需注意栅极驱动匹配与散热设计,以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 16A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3910TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR3910TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-GateCharge | 29.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 115 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 115 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 115 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR3910TRPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 79W |
| 功率耗散 | 52 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 115 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 29.3 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr3910.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr3910.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |