ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NX3008PBKMB,315
Datasheet下载- 型号： NX3008PBKMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NX3008PBKMB,315产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008PBKMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008PBKMB,315价格参考。NXP SemiconductorsNX3008PBKMB,315封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 300mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3。您可以下载NX3008PBKMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008PBKMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX3008PBKMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个），采用超小型无铅封装 XSON-6（1.2 × 1.0 mm，0.5 mm pitch），具有低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 85 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（QG ≈ 1.3 nC）和快速开关特性。其额定电压为 −30 V，连续漏极电流达 −2.1 A（Ta = 25°C），适合低压、小功率、空间受限的便携式电子系统。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的电池保护电路、负载开关或反向电流阻断； ✅ LED 驱动控制：用于低功耗 LED 的调光与开关，尤其适配 PWM 控制； ✅ 接口电平转换与信号切换：在 I²C、GPIO 等低速数字信号路径中实现电平移位或隔离； ✅ DC-DC 转换器辅助电路：如同步整流、使能控制或续流路径中的低侧开关（需配合主控IC使用）； ✅ 工业与物联网传感器节点：用于传感器供电的按需启停（Power Gating），降低待机功耗。 该器件凭借小尺寸、高可靠性及符合AEC-Q101（车规级）标准（注：NX3008PBKMB,315 为工业级，非车规；但同系列部分型号满足AEC-Q101），广泛应用于消费电子、智能家居、医疗电子等对成本、体积和能效敏感的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NX3008PBKMB,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10440-6 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Ta） |
