Datasheet下载- 型号： SSM3J334R,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J334R,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J334R,LF价格参考￥0.38-￥0.60。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J334R,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3J334R,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3J334R,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM3J334R,LF 是由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。以下是该型号在不同应用场景中的具体用途： 1. 开关电源 (SMPS) - SSM3J334R,LF 可用于开关电源中的功率开关。其低导通电阻（典型值为 5.5mΩ）使其适合高频开关应用，能够高效地控制电流的通断。 - 应用场景包括：笔记本电脑适配器、手机充电器、LED 驱动电源等。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 MOSFET 的开关状态，实现对电机速度和方向的精确控制。 - 适用于家用电器（如风扇、吸尘器）和工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载切换 - 在需要快速切换负载的电路中，SSM3J334R,LF 可作为电子开关使用。例如，在汽车电子系统中，用于控制灯光、雨刷或其他电气设备的通断。 - 其高耐压能力（VDS = 30V）和低导通损耗使其非常适合此类应用。 4. 电池管理 - 该 MOSFET 可用于电池保护电路中，防止过充、过放或短路等问题。它可以通过切断电流路径来保护电池组。 - 常见于锂离子电池组、移动电源和其他便携式电子设备中。 5. 信号放大与缓冲 - 在一些低功率信号处理电路中，SSM3J334R,LF 可用于信号放大或缓冲，确保信号完整性的同时降低功耗。 6. 逆变器电路 - 在小型逆变器中，该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或应急电源系统。 特性优势： - 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。 - 快速开关速度：适合高频应用，降低开关损耗。 - 紧凑封装：节省 PCB 空间，便于设计小型化产品。 综上所述，SSM3J334R,LF 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和电池管理系统等领域，是一款性能优异的 N 沟道增强型 MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 280 pF |
| 描述 | MOSFET P CH 30V 4A SOT-23FMOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3J334R,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J334R |
| 产品型号 | SSM3J334R,LFSSM3J334R,LF |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 5.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 136 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 136 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 71 毫欧 @ 3A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23F |
| 其它名称 | SSM3J334R,LF(T |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
| 封装/箱体 | SOT-23F-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 配置 | Single |
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