Datasheet下载- 型号： STW70N10F4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW70N10F4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW70N10F4价格参考。STMicroelectronicsSTW70N10F4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW70N10F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW70N10F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW70N10F4是一款N沟道MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - STW70N10F4适用于各种开关电源设计，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以降低功率损耗，提高效率。 - 常用于适配器、充电器以及工业电源中。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，该MOSFET可用作开关元件，控制电机的启停和速度。 - 其100V的耐压能力使其适合中低压电机应用。 3. 负载开关 - 作为负载开关，STW70N10F4可用于动态管理电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路的影响。 - 常见于消费电子设备（如智能手机、平板电脑）及嵌入式系统中。 4. 逆变器 - 在小型逆变器中，该MOSFET可实现DC-AC转换，为家用电器或便携式设备提供交流电源支持。 5. LED驱动 - 用于高亮度LED驱动电路中，通过PWM调制控制LED亮度，同时保持较低的功耗和热量产生。 6. 电池管理系统（BMS） - 在锂电池或铅酸电池管理系统中，该MOSFET可用作充放电路径的开关，确保电池安全运行并防止过充或过放。 7. 汽车电子 - 虽然STW70N10F4并非专为汽车级设计，但在某些非关键车载应用（如车窗升降器、座椅调节等）中仍可使用。 总结 STW70N10F4凭借其低导通电阻（典型值为85mΩ）、100V额定电压和高达12A的连续漏极电流，非常适合中低压、中小功率的应用场景。其紧凑的TO-220封装也便于散热设计和空间优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 65A TO-247MOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
| Id-连续漏极电流 | 65 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW70N10F4DeepGATE™， STripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW70N10F4 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 85 nC |
| Qg-栅极电荷 | 85 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-8797-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF219970?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Tc） |
| 系列 | STW70N10F4 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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