ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7000BU
Datasheet下载- 型号： 2N7000BU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7000BU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7000BU价格参考￥0.20-￥0.20。Fairchild Semiconductor2N7000BU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3。您可以下载2N7000BU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7000BU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92MOSFET 60V N-Channel Sm Sig |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor 2N7000BU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7000BU |
| Pd-PowerDissipation | 0.4 W |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 179 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA（Tc） |
| 系列 | 2N7000 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | 2N7000BU_NL |
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