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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ48NLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ48NLPBF价格参考。International RectifierIRFZ48NLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFZ48NLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ48NLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFZ48NLPBF的MOSFET,属于N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理和功率转换场景中。 该器件的主要应用场景包括: 1. 电源供应器:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,提供高效能的电能转换。 2. 电机控制:适用于直流电机、步进电机等的驱动电路,支持快速开关和高负载能力。 3. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源和逆变设备中,实现电能形式的高效转换。 4. 照明系统:如LED照明驱动电路,支持高频率开关操作,提高能效。 5. 汽车电子:由于其具备较高的可靠性和封装耐用性,也适用于车载电源系统和电机控制模块。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,适合中高功率应用。其封装形式为TO-220,便于散热和安装,适用于多种工业和消费类电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 64A TO-262MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 64 A |
| Id-连续漏极电流 | 64 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ48NLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ48NLPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 54 nC |
| Qg-栅极电荷 | 54 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1970pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 32A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRFZ48NLPBF |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 14 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 64 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 64A (Tc) |