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Datasheet下载- 型号： IRF7241TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7241TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7241TRPBF价格参考￥1.91-￥2.05。International RectifierIRF7241TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7241TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7241TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7241TRPBF 是一款P沟道增强型MOSFET，属于场效应晶体管（FET）类别，常用于低电压、高效率的电源管理与开关应用。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性。 IRF7241TRPBF 主要适用于以下场景： 1. 负载开关电路：广泛用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理模块，控制电池供电的通断，实现节能与过流保护。 2. DC-DC转换器：在同步整流或降压（Buck）电路中作为高端或低端开关使用，提升转换效率，尤其适合低电压输入（如5V或3.3V系统）。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的控制电路中，实现高效、低功耗的开关驱动。 4. 热插拔与电源多路复用：在服务器、通信设备等需要热插拔功能的系统中，作为电源路径控制元件，防止电流冲击。 5. 电池供电设备：如移动电源、可穿戴设备等，因其低静态电流和高集成度，有助于延长续航时间。 该MOSFET采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，是许多消费类电子和工业控制应用中的理想选择。其无铅环保设计（符合RoHS标准）也满足现代电子产品对环保的要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7241TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7241TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 53 nC |
| Qg-栅极电荷 | 53 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 6.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7241TRPBF |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 70 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 53 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 40 V |
| 漏极连续电流 | - 6.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Ta） |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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