Datasheet下载- 型号： SI4686DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4686DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4686DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4686DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4686DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4686DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4686DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电池供电系统，实现电源开关和负载切换。 2. DC-DC 转换器：用于同步整流、电压调节模块（VRM）等，提高转换效率，降低导通损耗。 3. 负载开关：在服务器、工业控制系统中，作为高侧或低侧开关控制电机、LED、风扇等负载。 4. 电机驱动：用于小型电机或步进电机的控制电路中，实现快速启停和方向切换。 5. 保护电路：用于过流保护、热插拔电路中，作为电子熔断器或隔离开关。 6. 汽车电子：如车载信息娱乐系统、车身控制模块等对空间和效率要求较高的应用。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、小封装（如 TSOP）、适合高频开关等特点，适用于紧凑型、高效率设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOICMOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73422 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4686DY-T1-GE3TrenchFET®， WFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4686DY-T1-GE3SI4686DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 13.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4686DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 5.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18.2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4686DY-GE3 |
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