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NTP2955G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP2955G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP2955G价格参考。ON SemiconductorNTP2955G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 60V 2.4A(Ta) 2.4W(Ta),62.5W(Tc) TO-220AB。您可以下载NTP2955G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTP2955G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTP2955G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: NTP2955G 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、负载开关和电池管理电路。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动: 在小型电机控制中,NTP2955G 可用于驱动直流电机或步进电机。其快速开关特性和低导通损耗使其适合需要高效运行的电机控制系统。 3. 负载切换与保护: 该 MOSFET 常用于负载切换电路,例如 USB 端口保护、电子设备中的过流保护和短路保护。它能够快速响应并切断故障电流,从而保护下游电路。 4. 信号放大与处理: 在低频信号放大或缓冲电路中,NTP2955G 可作为开关或放大元件使用,支持高精度的信号传输和处理。 5. 汽车电子: NTP2955G 的可靠性和耐用性使其适合汽车电子领域,例如车灯控制、座椅调节、电动窗户等应用中的功率控制。 6. 消费电子产品: 在笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式设备中,该 MOSFET 可用于电池充电管理、电源分配以及热插拔保护等功能。 7. 工业自动化: 在工业控制领域,NTP2955G 可用于继电器替代、传感器接口和执行器驱动等场景,提供高效且可靠的功率控制。 总结来说,NTP2955G 凭借其优异的电气性能和稳定性,广泛应用于需要高效功率转换、开关控制和保护功能的各种电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CHAN 12A 60V TO220ABMOSFET -60V -12A P-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
Id-连续漏极电流 | - 12 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTP2955G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTP2955G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
Pd-功率耗散 | 2.4 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 156 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 156 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 41 ns |
下降时间 | 45 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 196 毫欧 @ 12A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | NTP2955G-ND |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
功率-最大值 | 2.4W |
功率耗散 | 2.4 W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 156 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 6 S |
汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
漏极连续电流 | - 12 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Ta) |
系列 | NTP2955 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |