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SI2392DS-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2392DS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2392DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2392DS-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 3.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23。您可以下载SI2392DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2392DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2392DS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):该器件适用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等开关电源应用。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其在高效能电源转换中表现优异。 - 负载开关:用于控制电路中的电流流动,保护下游电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:可用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机。其低 Rds(on) 减少了功耗和发热。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:在锂电池或铅酸电池系统中,用作充放电路径的开关,防止过流、过充或过放。 - 电量监测:通过精确控制电流流动,实现对电池状态的实时监控。 4. 消费电子 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于电源管理和信号切换。 - 音频设备:在音频放大器中用作开关或保护元件。 5. 通信设备 - 信号切换:在路由器、交换机等网络设备中,用于信号路径的切换和隔离。 - 天线切换:在无线通信模块中,用于切换不同天线路径。 6. 工业控制 - 继电器替代:由于其快速响应和高可靠性,可以替代传统机械继电器用于工业自动化控制。 - 传感器接口:用于驱动或控制各种传感器电路。 7. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM):用于控制车窗升降、座椅调节等功能。 - LED 照明:在汽车 LED 灯具中用作开关或调光控制。 SI2392DS-T1-GE3 的特点(如低导通电阻、高电流能力、小封装尺寸)使其非常适合需要高效能、紧凑设计和低热损耗的应用场景。同时,其工作电压范围适中,适合多种中低压系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23MOSFET 100V 126mOhm@10V 3.1A N-Ch MV T-FET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
品牌 | Vishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2392DS-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI2392DS-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 5.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 135 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V to 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V to 3 V |
上升时间 | 68 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 196pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 126 毫欧 @ 2A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | SI2392DS-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET Power MOSFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 5 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.1A (Tc) |
系列 | SI2392DS |
配置 | Single |