Datasheet下载- 型号： IXFK420N10T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK420N10T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK420N10T价格参考。IXYSIXFK420N10T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFK420N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK420N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFK420N10T是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于FET晶体管类别。该型号的具体应用场景如下： 1. 高压应用 - 额定电压：IXFK420N10T的耐压值为1000V，适用于高压环境下的开关和功率转换场景。例如，在工业设备中用于高压电源切换、电机驱动器中的逆变电路等。 2. 大电流处理 - 额定电流：该器件的最大连续漏极电流可达420A（在特定条件下）。因此，它适合需要高电流承载能力的应用，如大型电动机控制、焊接设备以及不间断电源（UPS）系统。 3. 开关电源（SMPS） - 在开关模式电源中，IXFK420N10T可以作为主开关管或同步整流管使用，尤其是在高频、高效能要求的设计中。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 4. 可再生能源领域 - 该MOSFET可用于太阳能逆变器、风力发电系统的功率调节单元等。这些领域需要可靠的高压大电流器件来实现电能的有效转换与管理。 5. 工业自动化 - 在工厂自动化设备中，如机器人手臂、传送带控制系统等，IXFK420N10T能够提供稳定的电力传输和精确的负载控制。 6. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV） - 此款MOSFET可能被用作车载充电器、DC-DC转换器或者牵引逆变器的一部分，支持电动车的动力系统运作。 7. 其他特殊用途 - 包括放电灯镇流器、激光器驱动、医疗成像设备中的X射线发生器等需要高可靠性和高性能电子组件的地方。 总之，IXFK420N10T凭借其高电压、大电流的特点，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。选择时需根据具体电路设计需求考虑散热方案以及驱动条件等因素以确保最佳性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 420A TO-264MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 420 A |
| Id-连续漏极电流 | 420 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK420N10TGigaMOS™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK420N10T |
| Pd-PowerDissipation | 1.67 kW |
| Pd-功率耗散 | 1.67 kW |
| Qg-GateCharge | 670 nC |
| Qg-栅极电荷 | 670 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 155 ns |
| 下降时间 | 255 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 47000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 670nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 功率-最大值 | 1670W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | GigaMOS, HiperFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 110 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 420A （Tc） |
| 系列 | IXFK420N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
