Datasheet下载- 型号： SUM90N10-8M2P-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM90N10-8M2P-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM90N10-8M2P-E3价格参考￥14.10-￥21.50。VishaySUM90N10-8M2P-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUM90N10-8M2P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUM90N10-8M2P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUM90N10-8M2P-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于高效能、高密度电源系统中。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的开关性能，适用于AC-DC和DC-DC转换器，如服务器电源、通信电源和工业电源模块。 2. 同步整流：在低压大电流输出的电源拓扑（如LLC谐振变换器、Buck变换器）中，SUM90N10-8M2P-E3 可作为同步整流管使用，显著提高转换效率，降低功耗与温升。 3. 电机驱动：适用于中小型直流电机或步进电机的驱动电路，尤其在需要高频开关和低损耗控制的场合表现优异。 4. 负载开关与电源管理：可用于便携式设备或主板上的电源通断控制，实现快速响应和低静态损耗。 5. 电池供电系统：因其高效率和良好热性能，适合用于电动工具、无人机及储能系统等电池供电设备中的功率切换。 6. 汽车电子辅助系统：虽然非车规级主控器件，但在部分车载充电器或辅助电源模块中也可应用。 该MOSFET采用高性能沟槽技术，具备良好的热稳定性和可靠性，封装为PowerPAK® SO-8双散热片设计，有助于提升散热能力，适合紧凑型高功率密度设计。总体而言，SUM90N10-8M2P-E3 适用于对效率、空间和热管理有较高要求的中等功率应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 90A D2PAKMOSFET 100V 90A 300W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM90N10-8M2P-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM90N10-8M2P-E3SUM90N10-8M2P-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
| Pd-功率耗散 | 3.75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6290pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | SUM90N10-8M2P-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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