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Datasheet下载- 型号： 2SK3906(Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3906(Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3906(Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3906(Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3906(Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3906(Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3906(Q)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款P沟道MOSFET晶体管，属于MOSFET单管产品类别。该器件主要用于开关和放大电路中，适用于需要低导通电阻和高可靠性的场合。 典型应用场景包括：电源管理电路中的负载开关、电池供电设备的电源控制、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动电路等。由于其良好的热稳定性和较高的耐压能力，2SK3906(Q)也常用于消费类电子产品，如笔记本电脑、智能手机、平板电源模块及小型家电的电源控制系统中。 此外，该型号在音频放大器中也有应用，可作为前置或末级驱动元件，因其较低的失真和良好的线性特性有助于提升音质表现。同时，在各类工业控制设备和便携式电子设备中，2SK3906(Q)凭借其小封装、高效率和快速响应的特点，广泛用于信号切换和功率调节功能。 总体而言，2SK3906(Q)是一款性能稳定、适用范围广泛的P沟道MOSFET，特别适合中低功率场景下的高效能需求，是现代电子设备中常见的核心开关元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK3906(Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 330 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
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