Datasheet下载- 型号： NTD4806NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4806NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4806NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4806NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4806NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4806NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4806NT4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管-FET中的MOSFET单管产品。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和小型化设计的电源管理系统中。 其典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电系统中的充放电控制；DC-DC转换器，用于提升电源转换效率；电机驱动电路，适用于小型直流电机或步进电机的控制；以及各类消费类电子产品中的热插拔保护和电源排序管理。 NTD4806NT4G具有低栅极电荷、低输入电容和优异的开关特性，适合高频开关应用。其导通电阻极低（典型值约17mΩ），可有效减少导通损耗，提高系统能效。此外，该器件采用SO-8封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用。 由于具备高可靠性与良好的热稳定性，NTD4806NT4G也常用于工业控制、家电控制板、LED驱动电源及电源管理模块中，作为高效的开关元件。总体而言，该MOSFET适用于中低功率、注重效率与尺寸的电源开关和功率控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAKMOSFET NFET 30V 76A 6MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4806NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4806NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.14 W |
| Pd-功率耗散 | 2.14 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 29.7 ns, 23.8 ns |
| 下降时间 | 7.8 ns, 4.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2142pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD4806NT4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 18.3 ns, 26 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 功率耗散 | 2.14 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 14 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.3A （Ta）， 79A （Tc） |
| 系列 | NTD4806N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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