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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2004TK-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2004TK-7价格参考。Diodes Inc.DMP2004TK-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMP2004TK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP2004TK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMP2004TK-7是一款P沟道增强型MOSFET,常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。该器件采用SOT-23封装,体积小、功耗低,适用于多种电源管理和负载开关应用场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:在DC-DC转换器、同步整流和电池供电设备中,作为高效的功率开关使用,提高系统能效。 2. 负载开关:用于控制外围设备(如USB接口、传感器、LED灯等)的供电,实现快速通断,防止过载或短路。 3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机控制或固态开关应用中,替代传统机械继电器,提升响应速度和可靠性。 4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、便携式充电器等,因其低导通电阻和小封装适合空间受限的设计。 5. 工业控制系统:用于PLC模块、自动化设备中的信号切换与功率控制。 综上,DMP2004TK-7凭借其低电压特性、小尺寸及高可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和便携设备中的电源管理与开关控制场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 430MA SOT-523MOSFET P-Channel .15W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 430 mA |
Id-连续漏极电流 | 430 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP2004TK-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMP2004TK-7 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 150 mW |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1100 mOhms at 4.5 V |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 175pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.1 欧姆 @ 430mA,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-523 |
其它名称 | DMP2004TK7 |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-523 |
封装/箱体 | SOT-523-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 430mA (Ta) |
系列 | DMP2004 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |