Datasheet下载- 型号： SI2314EDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2314EDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2314EDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2314EDS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2314EDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2314EDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2314EDS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电源开关和负载管理，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品。 2. 电池供电设备：由于其低导通电阻和小封装，适合用于电池管理系统，如充放电控制、电池保护电路等。 3. 电机控制：在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件，常见于家电、无人机和电动工具中。 4. 负载开关：用于控制电源对特定模块的供电，如传感器、显示屏等外设的电源开关。 5. 汽车电子：适用于车载充电系统、车身控制模块等对空间和效率有要求的场景。 6. 工业自动化：用于 PLC、传感器模块和小型执行器的驱动电路中。 该器件采用小型 TSOP 封装，适合高密度 PCB 设计，具备良好的热稳定性和快速开关性能，适合中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2314EDS-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.77A （Ta） |
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