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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI3459BDV-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性及小型封装,适用于对空间和效率要求较高的电子产品。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、电池供电设备中的开关元件,提升能效并延长电池寿命; 2. 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中控制电源通断,实现低功耗模式; 3. 电机驱动与继电器替代:适用于小型电机、电磁阀等负载的开关控制; 4. 保护电路:作为反向电流阻断器件或过载保护开关使用; 5. 工业控制:用于自动化设备、传感器模块等需要高效、小体积功率开关的场合。 该 MOSFET 采用小型 TSOP 封装,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI3459BDV-T1-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 216 毫欧 @ 2.2A,10V |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
功率-最大值 | 3.3W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.9A (Tc) |