Datasheet下载- 型号： NVD20N03L27T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD20N03L27T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD20N03L27T4G价格参考。ON SemiconductorNVD20N03L27T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD20N03L27T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD20N03L27T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD20N03L27T4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有20A连续漏极电流和30V漏源击穿电压。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，适用于多种电源管理和功率转换应用。 该MOSFET常见应用场景包括： 1. DC-DC转换器：用于笔记本电脑、服务器、通信设备等中的电源模块，实现高效能电压转换。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为电子开关，控制电源通断，减少待机功耗。 3. 马达驱动：适用于小型电机控制电路，如无人机、电动工具或机器人系统。 4. 电源管理模块：用于电源管理系统中实现高效能功率控制，如电源适配器、充电器等。 5. 汽车电子：如车载电源系统、LED照明驱动等，得益于其高可靠性和封装散热性能，适合车载环境。 该器件采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和焊接，适合表面贴装工艺，广泛应用于中低功率开关场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD20N03L27T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 10A，5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 74W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
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