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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9535-100A,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9535-100A,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9535-100A,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK9535-100A,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9535-100A,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK9535-100A,127 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优异的热稳定性,适合用于电源转换、负载开关、马达控制以及电池管理系统等领域。 具体应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高能效和减小系统功耗; 2. 工业自动化:作为功率开关控制电机、继电器或电磁阀; 3. 汽车电子:用于车载充电系统、电池保护电路或车身控制模块; 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、电源适配器、智能插座等设备中的功率控制部分; 5. 绿色能源系统:如太阳能逆变器、储能系统中的开关元件。 该MOSFET采用标准TO-220封装,易于散热和安装,适用于中高功率应用。其100V的漏源击穿电压和高达数十安培的连续漏极电流能力,使其在多种严苛环境中具备良好的可靠性与稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 41A TO220ABMOSFET RAIL PWR-MOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 41 A |
Id-连续漏极电流 | 41 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9535-100A,127TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK9535-100A,127 |
Pd-PowerDissipation | 149 W |
Pd-功率耗散 | 149 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 34 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 62 ns |
下降时间 | 108 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3573pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 34 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 934055656127 |
典型关闭延迟时间 | 194 ns |
功率-最大值 | 149W |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 41A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | BUK9535-100A |