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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP16AN08A0由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP16AN08A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDP16AN08A0封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDP16AN08A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP16AN08A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP16AN08A0 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景广泛,主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FDP16AN08A0 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器:可用于降压或升压转换器中,作为主功率开关或同步整流器件。 - 负载开关:在便携式设备中用作高效的负载开关,控制电流流向不同负载。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:由于其低导通损耗,可以用于驱动小型直流电机,提供高效的开关控制。 - H 桥电路:在 H 桥电路中作为功率开关,用于双向电机控制。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:用于锂电池或其他可充电电池组的过流、短路保护。 - 电池充放电控制:通过精确控制 MOSFET 的导通状态,实现对电池充放电过程的管理。 4. 逆变器和变频器 - 逆变器应用:在小型逆变器中用作功率开关,将直流电转换为交流电。 - 变频控制:用于空调、风扇等设备的变频控制,调节电机速度。 5. 工业自动化 - 继电器替代:在工业控制系统中,可以用作固态继电器,替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。 - 信号隔离与放大:用于隔离低压信号并驱动高功率负载。 6. 消费电子 - 音频功放:在 D 类音频放大器中用作输出级开关。 - LED 驱动:用于驱动高亮度 LED 或 LED 灯带,提供恒定电流输出。 7. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等。 - 电源分配:在汽车中用于各种模块的电源分配和保护。 总结 FDP16AN08A0 凭借其优异的电气特性和可靠性,适合应用于多种领域,包括但不限于消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子以及绿色能源相关产品。其低 Rds(on) 和高耐压能力使其成为高性能功率管理的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 58A TO-220ABMOSFET 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 58 A |
| Id-连续漏极电流 | 58 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP16AN08A0PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP16AN08A0 |
| Pd-PowerDissipation | 135 W |
| Pd-功率耗散 | 135 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 82 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1857pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 58A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | FDP16AN08A0-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 135W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta), 58A (Tc) |
| 系列 | FDP16AN08A0 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |