Datasheet下载- 型号： FQD4N20LTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD4N20LTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD4N20LTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD4N20LTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD4N20LTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD4N20LTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD4N20LTF是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC/DC和DC/DC转换器中的高频开关，提供高效能与低导通损耗。 2. 电机驱动：用于直流电机或步进电机的控制电路中，具备高耐压和快速开关特性，提升系统响应速度。 3. 负载开关：作为电子开关控制大电流负载，如LED照明、加热元件等，支持快速开通与关断。 4. 电池管理系统（BMS）：在锂电池保护电路中用作充放电控制开关，具备过流与短路保护能力。 5. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变器中，实现直流到交流的功率转换。 该器件具有200V漏源击穿电压、4A连续漏极电流能力，采用低导通电阻设计，配合TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装工艺，兼顾散热性能与PCB布局便利性。适用于需要高效率、小体积和高可靠性的工业控制及消费类电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD4N20LTF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.35 欧姆 @ 1.6A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Tc） |
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