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IRFR3411TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3411TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3411TRPBF价格参考。International RectifierIRFR3411TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 32A(Tc) 130W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR3411TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR3411TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFR3411TRPBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - IRFR3411TRPBF适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 - 可用于降压或升压转换器中的开关元件,提供高效的电压调节。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,这款MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度。 - 其快速开关特性和低导通电阻有助于降低发热,提升系统的可靠性和性能。 3. 负载切换 - 用于负载切换电路中,实现对高电流负载的精确控制。例如,在汽车电子、工业自动化设备或消费电子产品中,作为电子开关来管理不同负载的工作状态。 4. 电池管理系统(BMS) - 在电池保护电路中,IRFR3411TRPBF可以用作充放电路径的开关,确保电池的安全运行。 - 其低导通电阻有助于减少电池能量损耗,延长续航时间。 5. 逆变器和UPS系统 - 在小型逆变器或不间断电源(UPS)中,该MOSFET可用作功率级开关,将直流电转换为交流电。 - 提供高效的能量转换能力,同时保持较低的热耗散。 6. 工业控制 - 适用于工业控制中的固态继电器(SSR)设计,替代传统的机械继电器,实现更长寿命和更高可靠性。 - 在可编程逻辑控制器(PLC)中,作为输出开关驱动外部负载。 7. 照明应用 - 在LED驱动电路中,用作PWM调光开关或恒流源的一部分,提供稳定的电流输出以保证LED亮度一致。 - 其高效性能有助于降低灯具的发热量,延长使用寿命。 总结 IRFR3411TRPBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率开关的场景。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车电子领域,它都能满足多样化的需求。选择该器件时,需根据具体电路要求考虑散热设计和驱动条件,以充分发挥其性能优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 32A DPAKMOSFET MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
Id-连续漏极电流 | 32 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3411TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR3411TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 130 W |
Pd-功率耗散 | 130 W |
Qg-GateCharge | 71 nC |
Qg-栅极电荷 | 71 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 44 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 44 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 44 毫欧 @ 16A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | IRFR3411TRPBFCT |
典型关闭延迟时间 | 39 ns |
功率-最大值 | 130W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 21 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |
配置 | Single |