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  • 型号: IRFR3411TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFR3411TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3411TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3411TRPBF价格参考。International RectifierIRFR3411TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 32A(Tc) 130W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR3411TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR3411TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFR3411TRPBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   - IRFR3411TRPBF适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。
   - 可用于降压或升压转换器中的开关元件,提供高效的电压调节。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,这款MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度。
   - 其快速开关特性和低导通电阻有助于降低发热,提升系统的可靠性和性能。

 3. 负载切换
   - 用于负载切换电路中,实现对高电流负载的精确控制。例如,在汽车电子、工业自动化设备或消费电子产品中,作为电子开关来管理不同负载的工作状态。

 4. 电池管理系统(BMS)
   - 在电池保护电路中,IRFR3411TRPBF可以用作充放电路径的开关,确保电池的安全运行。
   - 其低导通电阻有助于减少电池能量损耗,延长续航时间。

 5. 逆变器和UPS系统
   - 在小型逆变器或不间断电源(UPS)中,该MOSFET可用作功率级开关,将直流电转换为交流电。
   - 提供高效的能量转换能力,同时保持较低的热耗散。

 6. 工业控制
   - 适用于工业控制中的固态继电器(SSR)设计,替代传统的机械继电器,实现更长寿命和更高可靠性。
   - 在可编程逻辑控制器(PLC)中,作为输出开关驱动外部负载。

 7. 照明应用
   - 在LED驱动电路中,用作PWM调光开关或恒流源的一部分,提供稳定的电流输出以保证LED亮度一致。
   - 其高效性能有助于降低灯具的发热量,延长使用寿命。

 总结
IRFR3411TRPBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率开关的场景。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车电子领域,它都能满足多样化的需求。选择该器件时,需根据具体电路要求考虑散热设计和驱动条件,以充分发挥其性能优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 32A DPAKMOSFET MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

32 A

Id-连续漏极电流

32 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3411TRPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFR3411TRPBF

Pd-PowerDissipation

130 W

Pd-功率耗散

130 W

Qg-GateCharge

71 nC

Qg-栅极电荷

71 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

44 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

44 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

35 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1960pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

71nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

44 毫欧 @ 16A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

IRFR3411TRPBFCT

典型关闭延迟时间

39 ns

功率-最大值

130W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

21 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

32A (Tc)

配置

Single

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