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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8113GTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8113GTRPBF价格参考。International RectifierIRF8113GTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF8113GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF8113GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF8113GTRPBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于场效应晶体管(FET)类别,广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性,适合在高效率电源管理方案中使用。 其典型应用场景包括:开关电源(SMPS),如AC-DC和DC-DC转换器,用于通信设备、工业电源和消费类电子产品;电机驱动电路,适用于小型电机控制,如家用电器和电动工具;LED照明驱动电源,支持高能效恒流控制;以及各类电源管理系统中的负载开关或热插拔应用。 IRF8113GTRPBF采用TSDS-6封装,体积小巧,便于在空间受限的PCB设计中布局,同时具备良好的散热性能。其符合RoHS标准,无铅环保,适用于自动化贴片生产。由于其高可靠性与稳定性能,也常用于工业控制、汽车电子辅助系统(非主驱)及便携式设备电源模块中。 总之,IRF8113GTRPBF是一款高性能、高性价比的MOSFET,适用于多种中低功率开关应用,尤其在追求高效率、小尺寸和可靠性的电源设计中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 17.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8113GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8113GTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 上升时间 | 8.9 ns |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2910pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.6 毫欧 @ 17.2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF8113GTRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 73 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17.2A (Ta) |
| 配置 | Single |