ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NSS30101LT1G
Datasheet下载- 型号： NSS30101LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS30101LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS30101LT1G价格参考。ON SemiconductorNSS30101LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 1A 100MHz 310mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载NSS30101LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS30101LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS30101LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号的 BJT 晶体管广泛应用于各种电子电路中，以下是其主要应用场景：
1. 开关应用
- NSS30101LT1G 可作为开关元件使用，适用于需要快速切换的场景，例如：
- 继电器驱动
- LED 驱动
- 小功率电机控制
- 其低饱和电压和高增益特性使其在开关应用中表现优异。
2. 信号放大
- 该晶体管可用于音频信号放大、传感器信号放大等场景，适合低噪声和高增益的需求。
- 应用实例包括：
- 音频前置放大器
- 传感器信号调理电路
3. 电源管理
- 在小功率电源管理电路中，NSS30101LT1G 可用于电流调节或电压调整。
- 示例：
- 线性稳压器中的调整管
- 电池充电保护电路
4. 通信设备
- 由于其高频特性，该晶体管可用于通信设备中的信号调制和解调电路。
- 适用场景：
- 无线通信模块中的信号处理
- 数据传输接口电路
5. 消费电子产品
- 在家用电器和消费电子产品中，该晶体管常用于控制和驱动功能，例如：
- 遥控器信号发射
- 显示屏背光控制
6. 工业控制
- 在工业自动化领域，NSS30101LT1G 可用于：
- 传感器信号处理
- 工业设备的小信号驱动
总结
NSS30101LT1G 的主要特点包括高增益、低饱和电压和良好的频率响应，因此它非常适合用于低功耗、小信号处理和开关控制的应用场景。其紧凑的封装形式（SOT-23）也使其成为便携式和空间受限设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1A 30V SOT-23两极晶体管 - BJT 1A 30V Low VCEsat |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS30101LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS30101LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 500mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NSS30101LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 310 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 系列 | NSS30101LT1G |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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