Datasheet下载- 型号： IXTH20N50D
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH20N50D由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH20N50D价格参考。IXYSIXTH20N50D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH20N50D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH20N50D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH20N50D是一款N沟道MOSFET晶体管，其主要参数和应用场景如下： 主要参数： - 电压等级：500V（漏源极耐压），适用于高压环境。 - 电流能力：连续漏极电流为20A，峰值电流更高，适合大功率应用。 - 导通电阻：较低的Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高效率。 - 封装形式：TO-247，具有良好的散热性能。 应用场景： 1. 开关电源（SMPS） IXTH20N50D适用于开关电源中的高频开关应用，例如AC-DC或DC-DC转换器。其高耐压和低导通电阻特性能够有效降低能量损耗。 2. 电机驱动 在工业控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机。其高电流承载能力和快速开关速度使其适合需要高效功率转换的应用。 3. 逆变器 该器件可用于光伏逆变器或其他类型的电力逆变器中，将直流电转换为交流电。其高压特性非常适合处理太阳能电池板输出的高电压。 4. 不间断电源（UPS） 在UPS系统中，IXTH20N50D可以用于功率转换电路，确保在主电源中断时提供稳定的备用电源输出。 5. 电磁兼容性（EMC）滤波电路 由于其高压耐受能力，该MOSFET也可用于EMC滤波电路中，以保护敏感电子设备免受电磁干扰。 6. 负载切换 在需要频繁切换高电压负载的情况下，如照明系统或工业设备，IXTH20N50D可以实现高效的负载控制。 特点总结： - 高耐压（500V）使其适合高压环境。 - 大电流（20A）支持高功率应用。 - 低导通电阻减少发热，提高系统效率。 - 良好的散热性能（TO-247封装）确保长时间稳定运行。 综上所述，IXTH20N50D广泛应用于高压、大功率的电力电子设备中，特别是在需要高效功率转换和开关操作的场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH20N50D- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTH20N50D |
| Pd-PowerDissipation | 400 W |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 330 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 330 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 85 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 330 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 400W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 5.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | IXTH20N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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