Datasheet下载- 型号： STI24NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI24NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI24NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTI24NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI24NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI24NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STI24NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，用于提高能源转换效率并减小体积。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器及工业自动化设备中作为电机驱动开关，具备快速开关能力和低导通电阻特性。 3. 照明系统：用于LED照明驱动电路，支持调光功能并提升整体能效。 4. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块，满足汽车行业对稳定性和耐环境能力的需求。 5. 消费类电子产品：包括笔记本电脑、平板电脑和游戏设备中的电源开关与负载管理。 该器件具有600V漏源击穿电压、24A连续漏极电流能力，采用TO-220或D²PAK封装，适合高功率密度设计，同时具备良好的热稳定性与抗干扰性能，是工业与消费类应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 17A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STI24NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-12260 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF252466?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
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