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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW12NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW12NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTW12NM60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW12NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW12NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW12NM60N是一款N沟道MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS) - STW12NM60N适用于各种开关电源设计,如DC-DC转换器、反激式转换器和正激式转换器。其600V的耐压能力使其能够胜任高压输入环境下的开关任务。 - 在这些应用中,MOSFET作为高频开关元件,用于控制电流流动,实现电压转换和稳定输出。 2. 电机驱动 - 该型号可以用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关来控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 电磁阀控制 - 在工业自动化设备中,STW12NM60N可用于控制电磁阀的开闭。通过快速切换MOSFET的状态,实现对流体或气体流量的精确控制。 4. 太阳能逆变器 - 在小型太阳能发电系统中,这款MOSFET可以用作逆变器中的开关器件,将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。 - 它的高耐压和低功耗特性非常适合这种需要高效能量转换的应用。 5. 电池管理系统(BMS) - 在电动车、电动工具或储能系统的电池管理中,STW12NM60N可用作充放电路径上的开关,确保电池的安全运行并防止过流或短路。 6. 负载开关 - 在需要动态控制负载电流的场合,例如汽车电子或消费类电子产品中,该MOSFET可以用作负载开关,实现快速响应和低功耗操作。 7. 保护电路 - 在过流保护、过压保护或短路保护电路中,STW12NM60N可充当关键的开关元件,及时切断异常电流路径,保护下游电路免受损害。 总结来说,STW12NM60N凭借其高耐压、低导通电阻以及出色的开关性能,广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子和消费类电子等领域,特别是在需要高效功率转换和可靠开关功能的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STW12NM60N |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 410 毫欧 @ 5A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | 497-7615-5 |
功率-最大值 | 90W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 600 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |