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Datasheet下载- 型号： MRFE6VP5150NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP5150NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP5150NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP5150NR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 100mA 230MHz 26.1dB 150W TO-270 WB-4。您可以下载MRFE6VP5150NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP5150NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRFE6VP5150NR1 是一款高性能的射频功率 MOSFET 晶体管，属于 N 沟道增强型 LDMOS 器件，广泛应用于高功率射频放大场合。其主要应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如射频加热、等离子体生成、气体放电和感应加热设备。该器件支持在 1.8 MHz 至 500 MHz 频率范围内工作，特别适合中高频段的大功率模拟放大需求。 MRFE6VP5150NR1 具备高达 150W 的输出功率能力，优异的热稳定性和高效率，适用于连续波（CW）和脉冲工作模式。因此，它也常见于广播发射机中的射频功率放大级，如 AM 和 FM 广播发射系统，以及高可靠性要求的航空通信和地面基站设备中。 此外，由于其坚固的封装设计和出色的抗负载失配能力，该器件在恶劣工作环境下仍能保持稳定性能，适合用于户外通信基础设施和工业自动化设备中的射频模块。其 RoHS 合规的表面贴装封装（NI-780D）便于自动化生产，提升了制造效率。 总之，MRFE6VP5150NR1 主要用于需要高可靠性、高效率和高输出功率的中高频射频放大系统，是现代工业与通信领域关键的功率放大元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF LDMOS 150W TO-270 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6VP5150NR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 其它名称 | MRFE6VP5150NR1DKR |
| 功率-输出 | * |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | * |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 133V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |
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