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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPCF8B01(TE85L,F,M由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPCF8B01(TE85L,F,M价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPCF8B01(TE85L,F,M封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPCF8B01(TE85L,F,M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPCF8B01(TE85L,F,M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPCF8B01(TE85L,F,M) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET,属于 晶体管 - FET,MOSFET - 单 类别,是一款性能稳定的功率 MOSFET 器件。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等电源模块,具备低导通电阻和高效率特性,有助于提升能效并减少发热。 2. 负载开关:用于控制电源通断的电路中,如电池供电设备、便携式电子产品中的电源管理单元。 3. 马达驱动:适用于小型电机控制电路,如风扇、泵类或自动化设备中的驱动模块。 4. LED 照明:在 LED 驱动电源中作为开关元件,支持调光与高效能控制。 5. 消费类电子产品:广泛应用于笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的功率控制部分。 该器件采用小型封装,适合高密度 PCB 设计,具备良好的热稳定性与可靠性,适合中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | TPCF8B01(TE85L,F,M |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 200µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 1.4A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | VS-8(2.9x1.9) |
其它名称 | TPCF8B01(TE85LFMDKR |
功率-最大值 | - |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Ta) |