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  • 型号: TPCF8B01(TE85L,F,M
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPCF8B01(TE85L,F,M由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPCF8B01(TE85L,F,M价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPCF8B01(TE85L,F,M封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPCF8B01(TE85L,F,M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPCF8B01(TE85L,F,M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 TPCF8B01(TE85L,F,M) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET,属于 晶体管 - FET,MOSFET - 单 类别,是一款性能稳定的功率 MOSFET 器件。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等电源模块,具备低导通电阻和高效率特性,有助于提升能效并减少发热。

2. 负载开关:用于控制电源通断的电路中,如电池供电设备、便携式电子产品中的电源管理单元。

3. 马达驱动:适用于小型电机控制电路,如风扇、泵类或自动化设备中的驱动模块。

4. LED 照明:在 LED 驱动电源中作为开关元件,支持调光与高效能控制。

5. 消费类电子产品:广泛应用于笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的功率控制部分。

该器件采用小型封装,适合高密度 PCB 设计,具备良好的热稳定性与可靠性,适合中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

产品分类

FET - 单

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

TPCF8B01(TE85L,F,M

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

470pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

110 毫欧 @ 1.4A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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供应商器件封装

VS-8(2.9x1.9)

其它名称

TPCF8B01(TE85LFMDKR
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01(TE85LFMDRK-ND
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01FDKR-ND
TPCF8B01TE85LFM

功率-最大值

-

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Ta)

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